2N7002LT1G vs MMBF170LT1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002LT1G tarafından onsemi ve MMBF170LT1 tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2N7002LT1G MMBF170LT1
Marka onsemi onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
Paket SOT-23-3 (TO-236) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Kategori Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Part Number — MMBF170LT1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Continuous Drain Current (ID) — 500 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
Paket / Kas — SOT-23-3 (TO-236)
Pin Sayısı — 3
RoHS Durumu — Compliant (per onsemi product page)
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin