2N7002LT1G vs MMBF170LT1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2N7002LT1G توسط onsemi و MMBF170LT1 توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2N7002LT1G MMBF170LT1
برند onsemi onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
بسته‌بندی SOT-23-3 (TO-236) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 3 —
دسته‌بندی Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Part Number — MMBF170LT1
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Continuous Drain Current (ID) — 500 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
بسته‌بندی / کیس — SOT-23-3 (TO-236)
تعداد پایه — 3
وضعیت RoHS — Compliant (per onsemi product page)
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت