2N7002LT1G vs MMBF170LT1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2N7002LT1G द्वारा onsemi और MMBF170LT1 द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2N7002LT1G | MMBF170LT1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | onsemi |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | — |
| पैकेज | SOT-23-3 (TO-236) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| श्रेणी | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | DMOS |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | onsemi (ON Semiconductor) |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| Part Number | — | MMBF170LT1 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 60 V |
| Drain-Gate Voltage (VDGS) | — | 60 Vdc |
| Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) | — | ±20 Vdc (per datasheet) |
| Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) | — | ±40 Vpk (tp <= 50 ms) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 500 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| Total Device Dissipation (PD) | — | 225 mW (Ta, FR-5 board) |
| पैकेज / केस | — | SOT-23-3 (TO-236) |
| पिन काउंट | — | 3 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (per onsemi product page) |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes (per datasheet) |