BSC0502NSIATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0502NSIATMA1 بواسطة Infineon و IPD046N08N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC0502NSIATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |