BSC0502NSIATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0502NSIATMA1 توسط Infineon و IPD046N08N5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC0502NSIATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| محدوده دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |