BSC0502NSIATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0502NSIATMA1 tarafından Infineon ve IPD046N08N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0502NSIATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |