BSD235CH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSD235CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSR802NL6327HTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSD235CH6327XTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | — |
| عدد الأطراف | 6 | 3 |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| العلبة | — | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |