BSD235CH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD235CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSR802NL6327HTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSD235CH6327XTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS Durumu | Compliant (lead-free) | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Pin Sayısı | 6 | 3 |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Paket | — | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |