BSD235CH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSD235CH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSR802NL6327HTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™

BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™

BSD235CH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSD235CH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (lead-free) Compliant
MSL লেভেল 1 —
পিন সংখ্যা 6 3
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
প্যাকেজ — PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C
Qualification — Automotive

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট