FODM217AR2 vs FODM217A مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ FODM217AR2 بواسطة onsemi و FODM217A بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | FODM217AR2 | FODM217A |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | onsemi |
| الفئة | Optocouplers | Optocouplers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | FODM217AR2 | — |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | — |
| Device Type | Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler | — |
| تكوين الخرج | Transistor (phototransistor, single channel) | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Input Type | DC sensing | DC Sensing |
| العلبة | 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch) | 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) |
| Isolation Voltage (VISO) | 3750 Vrms (per UL 1577) | 3,750 VACrms |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | 80 V maximum | — |
| تيار المجمّع (Ic) | 50 mA maximum | — |
| Forward Current (IF) | 50 mA maximum | — |
| Forward Voltage (VF) | 1.2 V typical at IF=10 mA | — |
| VCE(SAT) | 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA | — |
| Current Transfer Ratio (CTR) | 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V | — |
| Response Time (tr / tf) | 4 us / 3 us typical | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +110 C | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| UL Recognition | UL 1577 recognized (File E90700) | — |
| مستوى MSL | 1 per IPC/JEDEC J-STD-020 | — |
| Channel Count | — | 1 |
| نوع الخرج | — | Phototransistor |
| عدد الدبابيس | — | 4 |
| Emitter Material | — | Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED |
| Detector Type | — | Silicon Phototransistor |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +110 C |
| Forward Voltage (VF) Typical | — | 1.2 V at IF = 10 mA |
| Reverse Voltage (VR) Maximum | — | 6 V |
| Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum | — | 80 V |
| Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum | — | 7 V |
| Collector Current (IC) Maximum | — | 50 mA |