FODM217AR2 vs FODM217A तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना FODM217AR2 द्वारा onsemi और FODM217A द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | FODM217AR2 | FODM217A |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | onsemi |
| श्रेणी | Optocouplers | Optocouplers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Part Number | FODM217AR2 | — |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | — |
| Device Type | Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler | — |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | Transistor (phototransistor, single channel) | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Input Type | DC sensing | DC Sensing |
| पैकेज | 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch) | 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) |
| Isolation Voltage (VISO) | 3750 Vrms (per UL 1577) | 3,750 VACrms |
| कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (Vceo) | 80 V maximum | — |
| कलेक्टर करंट (Ic) | 50 mA maximum | — |
| Forward Current (IF) | 50 mA maximum | — |
| Forward Voltage (VF) | 1.2 V typical at IF=10 mA | — |
| VCE(SAT) | 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA | — |
| Current Transfer Ratio (CTR) | 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V | — |
| Response Time (tr / tf) | 4 us / 3 us typical | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +110 C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| UL Recognition | UL 1577 recognized (File E90700) | — |
| MSL स्तर | 1 per IPC/JEDEC J-STD-020 | — |
| Channel Count | — | 1 |
| आउटपुट प्रकार | — | Phototransistor |
| पिन की संख्या | — | 4 |
| Emitter Material | — | Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED |
| Detector Type | — | Silicon Phototransistor |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40 C to +110 C |
| Forward Voltage (VF) Typical | — | 1.2 V at IF = 10 mA |
| Reverse Voltage (VR) Maximum | — | 6 V |
| Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum | — | 80 V |
| Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum | — | 7 V |
| Collector Current (IC) Maximum | — | 50 mA |