H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR بواسطة SK hynix و K4A8G165WB-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $6.25 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| الواجهة | — | Parallel |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |