H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NAFR بذریعہ SK hynix اور K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | — | In Stock |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $6.25 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| میموری سائز | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS اسٹیٹس | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |