H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NAFR द्वारा SK hynix और K4A8G165WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.25 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| डेटा दर | 2400 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |