H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G6NAFR tarafından SK hynix ve K4A8G165WB-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marka | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | — | In Stock |
| Birim Fiyat (USD) | — | $6,25 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Veri Hızı | 2400 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| Paket | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Arayüz | — | Parallel |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS Durumu | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |