H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN8G6NAFR sa pamamagitan ng SK hynix at K4A8G165WB-BCWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Katayuan ng Stock | — | In Stock |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $6.25 |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisasyon | 512M x 16 | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Rate ng Data | 2400 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Tindminan RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Level ng MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |