H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4-75BIN مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR-XNC بواسطة SK hynix و AS4C512M16D4-75BIN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NDJR-XNC | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Alliance Memory |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $55.68 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| العلبة | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| الواجهة | — | POD |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |