H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4-75BIN So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NDJR-XNC bằng SK hynix và AS4C512M16D4-75BIN bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G6NDJR-XNC | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Alliance Memory |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $55,68 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | 512M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Hộp | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Giao diện | — | POD |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Tính năng | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |