H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4-75BIN موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR-XNC بذریعہ SK hynix اور AS4C512M16D4-75BIN بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NDJR-XNC AS4C512M16D4-75BIN
برانڈ SK hynix Alliance Memory
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $55.68 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 512M x16 512M x 16
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (max 1.26 V) —
پیکیج FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (7.5x13)
Number of Terminals 96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Input/Output Type COMMON —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40°C to +95°C
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
انٹرفیس — POD
پنز کی تعداد — 96
RoHS اسٹیٹس — Compliant
خصوصیات — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں