IPB200N25N3GATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB200N25N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB120P04P4L03ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPB200N25N3GATMA1 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| خالٍ من الهالوجين | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| عدد الأطراف | 3 (2+tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |