IPB200N25N3GATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB200N25N3GATMA1 bằng Infineon và IPB120P04P4L03ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB200N25N3GATMA1 - 250V 64A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon
IPB200N25N3GATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB200N25N3GATMA1 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Hộp | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| Đông trùng haogen | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Số chân | 3 (2+tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |