IPB200N25N3GATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB200N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB120P04P4L03ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB200N25N3GATMA1 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| ہیلوجن فری | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| پن کی تعداد | 3 (2+tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |