IPB200N25N3GATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB200N25N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB200N25N3GATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] —
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per Infineon product page)
Klorürsüz Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Pin Sayısı 3 (2+tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Transistor Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin