IPW60R041C6FKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPW60R041C6FKSA1 بواسطة Infineon و IPW60R080P7XKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPW60R041C6FKSA1 | IPW60R080P7XKSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | NRND | نشط |
| Technology | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 77.5 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 481 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 41 mΩ at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V typical | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Rise Time (tr) | [DATA_NEEDED: tr value] | — |
| Fall Time (tf) | [DATA_NEEDED: tf value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C (junction) |
| العلبة | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| مستوى MSL | Not Applicable (Through-hole) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 37 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 129 W |
| RDS(on) (typ) | — | 69 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ, per datasheet family) |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf value] |
| Packaging | — | Tube (XKSA1 ordering suffix) |