IPW60R041C6FKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R041C6FKSA1 بذریعہ Infineon اور IPW60R080P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R041C6FKSA1 IPW60R080P7XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت NRND فعال
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
پیکیج PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
MSL لیول Not Applicable (Through-hole) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 37 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 129 W
RDS(on) (typ) — 69 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ, per datasheet family)
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf value]
Packaging — Tube (XKSA1 ordering suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں