IPW60R041C6FKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPW60R041C6FKSA1 توسط Infineon و IPW60R080P7XKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPW60R041C6FKSA1 IPW60R080P7XKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر NRND فعال
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
بسته‌بندی PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
سطح MSL Not Applicable (Through-hole) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 37 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 129 W
RDS(on) (typ) — 69 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ, per datasheet family)
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf value]
Packaging — Tube (XKSA1 ordering suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت