IPW60R041C6FKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPW60R041C6FKSA1 tarafından Infineon ve IPW60R080P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPW60R041C6FKSA1 IPW60R080P7XKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu NRND Aktif
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
Paket PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
MSL Seviyesi Not Applicable (Through-hole) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 37 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 129 W
RDS(on) (typ) — 69 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ, per datasheet family)
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf value]
Packaging — Tube (XKSA1 ordering suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin