IPW60R041C6FKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPW60R041C6FKSA1 bằng Infineon và IPW60R080P7XKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPW60R080P7XKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPW60R041C6FKSA1 IPW60R080P7XKSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời NRND Hoạt động
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
Hộp PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Cấp MSL Not Applicable (Through-hole) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 37 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 129 W
RDS(on) (typ) — 69 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ, per datasheet family)
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf value]
Packaging — Tube (XKSA1 ordering suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá