IR2117SPBF vs IR2117STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2117SPBF بواسطة Infineon و IR2117STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2117SPBF IR2117STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Single high-side driver High-Side Single Channel
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
حالة RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
الوظيفة — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
عدد المخارج — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
زمن الصعود — 80 ns (typ)
زمن السقوط — 40 ns (typ)
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
العلبة / الحالة — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes
مستوى MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر