IR2117SPBF vs IR2117STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2117SPBF توسط Infineon و IR2117STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2117SPBF IR2117STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Single high-side driver High-Side Single Channel
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
بسته‌بندی 8-SOIC (SOIC-8) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -40C to +125C —
وضعیت RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
عملکرد — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
تعداد خروجی‌ها — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
زمان صعود — 80 ns (typ)
زمان افت — 40 ns (typ)
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
محدوده دمای کاری — -40 C to +125 C
بسته‌بندی / کیس — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes
سطح MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت