IR2117SPBF vs IR2117STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2117SPBF מאת Infineon ו IR2117STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2117SPBF IR2117STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Single high-side driver High-Side Single Channel
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
מארז 8-SOIC (SOIC-8) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
סטטוס RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
פונקציה — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
מספר יציאות — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
זמן עלייה — 80 ns (typ)
זמן ירידה — 40 ns (typ)
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
מארז / Case — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes
רמת MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר