IR2304SPBF vs 1EDN7146UXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2304SPBF بواسطة Infineon و 1EDN7146UXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2304SPBF 1EDN7146UXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
عدد المخارج 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
العلبة 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
زمن السقوط — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر