IR2304SPBF vs 1EDN7146UXTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IR2304SPBF بذریعہ Infineon اور 1EDN7146UXTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IR2304SPBF 1EDN7146UXTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
آؤٹ پٹس کی تعداد 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
پیکیج 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
رائز ٹائم — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
فال ٹائم — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں