IR2304SPBF vs 1EDN7146UXTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2304SPBF מאת Infineon ו 1EDN7146UXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2304SPBF 1EDN7146UXTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
מספר יציאות 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
מארז 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
זמן עלייה — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
זמן ירידה — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר