IR2304SPBF vs 1EDN7146UXTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2304SPBF tarafından Infineon ve 1EDN7146UXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2304SPBF 1EDN7146UXTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Çıkış Sayısı 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Paket 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Artış Süresi — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
Düşüş Süresi — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin