IRFH5015TRPBF vs IRF8734TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH5015TRPBF بواسطة Infineon و IRF8734TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFH5015TRPBF | IRF8734TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| العلبة | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (TJ max) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 20 nC |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| العلبة / الحالة | — | 8-SOIC (SO-8) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully characterized avalanche voltage |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free (PBF suffix) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |