IRFH5015TRPBF vs IRF8734TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF8734TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH5015TRPBF IRF8734TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
پیکیج 8-PQFN (5x6) SuperSO8 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (TJ max) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 20 nC
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
پیکیج / کیس — 8-SOIC (SO-8)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Avalanche Energy Rating — Fully characterized avalanche voltage
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (PBF suffix)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020]
Packaging — Tape & Reel (TR)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں