IRFH5015TRPBF vs IRF8734TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH5015TRPBF द्वारा Infineon और IRF8734TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFH5015TRPBF | IRF8734TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| पैकेज | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 20 nC |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| पैकेज / केस | — | 8-SOIC (SO-8) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully characterized avalanche voltage |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free (PBF suffix) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |