IRFH5015TRPBF vs IRF8734TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH5015TRPBF tarafından Infineon ve IRF8734TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFH5015TRPBF | IRF8734TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| Paket | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 20 nC |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Paket / Kas | — | 8-SOIC (SO-8) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully characterized avalanche voltage |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free (PBF suffix) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |