IRFP250MPBF vs IRF150P220AKMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFP250MPBF بواسطة Infineon و IRF150P220AKMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFP250MPBF | IRF150P220AKMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $2.55 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRFP250MPBF | IRF150P220AKMA1 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | StrongIRFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max @ Vgs=10V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 82 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 214 W | 556 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة / الحالة | TO-247AC (3-pin + tab) | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| عدد الدبابيس | 3 | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 203 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 3.8 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| العلبة | — | TO-247-3 (PG-TO247-3) |
| Terminal Finish | — | Tin (Sn) |
| JESD-609 Code | — | e3 |