IRFP250MPBF vs IRF150P220AKMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFP250MPBF بذریعہ Infineon اور IRF150P220AKMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $2.55 —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W 556 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج / کیس TO-247AC (3-pin + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پنز کی تعداد 3 —
Avalanche Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
پیکیج — TO-247-3 (PG-TO247-3)
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں