IRFP250MPBF vs IRF150P220AKMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFP250MPBF tarafından Infineon ve IRF150P220AKMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $2,55 —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W 556 W
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket / Kas TO-247AC (3-pin + tab) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 —
Avalanche Rated Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Paket — TO-247-3 (PG-TO247-3)
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin