IRFP250MPBF vs IRF150P220AKMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFP250MPBF द्वारा Infineon और IRF150P220AKMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFP250MPBF | IRF150P220AKMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $2.55 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRFP250MPBF | IRF150P220AKMA1 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | StrongIRFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max @ Vgs=10V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 82 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 214 W | 556 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज / केस | TO-247AC (3-pin + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 203 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 3.8 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| पैकेज | — | TO-247-3 (PG-TO247-3) |
| Terminal Finish | — | Tin (Sn) |
| JESD-609 Code | — | e3 |