IRFP250MPBF vs IRF150P220AKMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFP250MPBF מאת Infineon ו IRF150P220AKMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) $2.55 —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W 556 W
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז / Case TO-247AC (3-pin + tab) —
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 —
Avalanche Rated Yes —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
רמת MSL 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
מארז — TO-247-3 (PG-TO247-3)
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר