IRFP250MPBF vs IRFP260MPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFP250MPBF بواسطة Infineon و IRFP260MPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFP250MPBF IRFP260MPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $2.55 —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة / الحالة TO-247AC (3-pin + tab) TO-247AC (3-lead through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الدبابيس 3 —
Avalanche Rated Yes Yes
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
مستوى MSL 1 (unlimited) Not Applicable (through-hole)
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر