IRFP250MPBF vs IRFP260MPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFP250MPBF توسط Infineon و IRFP260MPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFP250MPBF IRFP260MPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی / کیس TO-247AC (3-pin + tab) TO-247AC (3-lead through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پین‌ها 3 —
Avalanche Rated Yes Yes
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
سطح MSL 1 (unlimited) Not Applicable (through-hole)
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
محدوده دمای کاری — -55C to +175C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت