IRFP250MPBF vs IRFP260MPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFP250MPBF por Infineon e IRFP260MPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFP250MPBF IRFP260MPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,55 $2,85
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento / Caixa TO-247AC (3-pin + tab) TO-247AC (3-lead through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Número de pinos 3 —
Avalanche Rated Yes Yes
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL 1 (unlimited) Not Applicable (through-hole)
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C

Fichas técnicas e recursos

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