IRFP250MPBF vs IRFP260MPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFP250MPBF от Infineon и IRFP260MPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFP250MPBF IRFP250MPBF - 200V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP250MPBF - 200V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP250MPBF ✓ Активен
Infineon
IRFP260MPBF IRFP260MPBF - 200V 50A N-Channel MOSFET | Infineon TO-247AC

IRFP260MPBF - 200V 50A N-Channel MOSFET | Infineon TO-247AC

IRFP260MPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFP250MPBF IRFP260MPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,55 $2,85
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус / Типоразмер TO-247AC (3-pin + tab) TO-247AC (3-lead through-hole)
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Количество выводов 3 —
Avalanche Rated Yes Yes
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Уровень MSL 1 (unlimited) Not Applicable (through-hole)
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену