IRFP250MPBF vs IRFP260MPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFP250MPBF par Infineon et IRFP260MPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFP250MPBF | IRFP260MPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,55 | $2,85 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRFP250MPBF | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max @ Vgs=10V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 82 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 214 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier / Format | TO-247AC (3-pin + tab) | TO-247AC (3-lead through-hole) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | Not Applicable (through-hole) |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 40 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Input Capacitance Ciss | — | 1560 pF |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |