IRFP250MPBF vs IRFP260MPBF 比較

詳細な並列比較: IRFP250MPBF メーカー: Infineon および IRFP260MPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFP250MPBF IRFP260MPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.55 $2.85
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ / ケース TO-247AC (3-pin + tab) TO-247AC (3-lead through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 —
Avalanche Rated Yes Yes
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSLレベル 1 (unlimited) Not Applicable (through-hole)
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
動作温度範囲 — -55C to +175C

データシート&リソース

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